• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Nanoepitaxy of GaAs on a Si(001) substrate using a round-hole nanopatterned SiO_2 mask
【24h】

Nanoepitaxy of GaAs on a Si(001) substrate using a round-hole nanopatterned SiO_2 mask

机译：使用圆孔纳米图案化的SiO_2掩模在Si（001）衬底上GaAs的纳米表观

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

GaAs is grown by metal-organic vapor-phase epitaxy on a 55 nm round-hole patterned Si substrate with SiO_2 as a mask. The threading dislocations, which are stacked on the lowest energy facet plane, move along the SiO_2 walls, reducing the number of dislocations. The etching pit density of GaAs on the 55 nm round-hole patterned Si substrate is about 3.3 × 10~5 cm~(-2). Compared with the full width at half maximum measurement from x-ray diffraction and photoluminescence spectra of GaAs on a planar Si(001) substrate, those of GaAs on the 55 nm round-hole patterned Si substrate are reduced by 39.6 and 31.4%, respectively. The improvement in material quality is verified by transmission electron microscopy, field-emission scanning electron microscopy, Hall measurements, Raman spectroscopy, photoluminescence, and x-ray diffraction studies.
机译：GaAs通过金属有机气相外延在以SiO_2为掩模的55 nm圆孔图案化Si衬底上生长。堆积在最低能量小平面上的螺纹位错沿着SiO_2壁移动，从而减少了位错的数量。在55nm圆孔构图的Si衬底上GaAs的刻蚀坑密度约为3.3×10〜5 cm〜（-2）。与通过平面Si（001）衬底上的GaAs的x射线衍射和光致发光光谱测得的半峰全宽相比，在55 nm圆孔构图的Si衬底上的GaAs的半峰宽分别降低了39.6％和31.4％。 。通过透射电子显微镜，场发射扫描电子显微镜，霍尔测量，拉曼光谱，光致发光和X射线衍射研究证明了材料质量的提高。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号