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【24h】

Effect of nanopyramid bottom electrodes on bipolar resistive switching phenomena in nickel nitride films-based crossbar arrays

机译：纳米金字塔底部电极对基于氮化镍膜的交叉开关阵列中双极电阻切换现象的影响

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The improved resistive switching (RS) performance characteristics of nickel nitride (NiN) films-based crossbar array (CBA) memory resistors—such as reduction in the operating voltages, reset current and current/voltage variations; no initial forming process; and set/reset speeds—are demonstrated using nanopyramid-patterned (NPP) platinum-bottom electrodes. Compared with a conventional CBA sample with flat-bottom electrodes, both the voltage and the current of the set and reset operations are respectively reduced when NPP samples are used. The drastic reduction in the variation of the operating voltage and current is of particular interest. We explain the RS process using the model of the redox-reaction-mediated formation and rupture of the conducting filaments in the NiN films, based on the capacitance–voltage and conductance–voltage characteristics under different resistance states.
机译：改进的基于氮化镍（NiN）薄膜的交叉开关阵列（CBA）存储器电阻器的电阻开关（RS）性能特性-例如工作电压的降低，复位电流和电流/电压变化;没有初始成型过程;和设置/重置速度-使用纳米金字塔图案（NPP）铂底电极进行了演示。与具有平底电极的常规CBA样品相比，使用NPP样品时，置位和复位操作的电压和电流都分别降低。特别需要注意的是，工作电压和电流变化的急剧减小。我们基于在不同电阻状态下的电容-电压和电导-电压特性，使用氧化还原反应介导的NiN薄膜中导电细丝的形成和破裂模型来解释RS过程。

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