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Tungsten oxide nanowires grown on amorphous-like tungsten films

机译：在非晶态钨膜上生长的氧化钨纳米线

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Tungsten oxide nanowires have been synthesized by vacuum annealing in the range 500-710 degrees C from amorphous-like tungsten films, deposited on a Si(100) substrate by pulsed laser deposition (PLD) in the presence of a He background pressure. The oxygen required for the nanowires formation is already adsorbed in the W matrix before annealing, its amount depending on deposition parameters. Nanowire crystalline phase and stoichiometry depend on annealing temperature, ranging from W18O49-Magneli phase to monoclinic WO3. Sufficiently long annealing induces the formation of micrometer-long nanowires, up to 3.6 mu m with an aspect ratio up to 90. Oxide nanowire growth appears to be triggered by the crystallization of the underlying amorphous W film, promoting their synthesis at low temperatures.
机译：氧化钨纳米线已经通过在500-710摄氏度范围内从非晶态的钨膜进行真空退火而合成，该非晶态的钨膜在He背景压力下通过脉冲激光沉积（PLD）沉积在Si（100）衬底上。形成纳米线所需的氧在退火之前已经被吸附在W基质中，其量取决于沉积参数。纳米线的结晶相和化学计量取决于退火温度，范围从W18O49-Magneli相到单斜晶WO3。足够长的退火会诱导形成长达3.6微米，长宽比高达90的微米级纳米线。氧化物纳米线的生长似乎是由下面的非晶W膜的结晶触发的，从而促进了它们在低温下的合成。

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