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Negative differential resistance in monolayer WTe2 tunneling transistors

机译：单层WTe2隧穿晶体管中的负差分电阻

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We report theoretical investigations of quantum transport in monolayer transition metal dichalcogenide (TMDC) tunneling field effect transistors (TFETs). Due to the specific electronic structure of TMDC WTe2, a transmission valley is found in the conduction band (CB). For a proper choice of the doping, gate and supply voltages the WTe2 TFET can produce a giant negative differential resistance (NDR) with a peak to valley ratio as large as 10(3). The mechanism of NDR is identified to be due to a transport-mode bottleneck, i.e., the band to band tunneling from the valence band of the source is partially blocked by a transmission valley of the CB of the drain. More generally, our calculations show that electronic structures of at least six TMDC materials possess the transmission valley.
机译：我们报告在单层过渡金属二卤化硅（TMDC）隧道场效应晶体管（TFET）中的量子传输的理论研究。由于TMDC WTe2的特定电子结构，在导带（CB）中发现了一个透射谷。为正确选择掺杂，栅极和电源电压，WTe2 TFET可以产生一个巨大的负差分电阻（NDR），其峰谷比高达10（3）。 NDR的机理被认为是由于传输模式的瓶颈所致，即，源极价带的带间隧穿被漏极CB的传输谷部分阻止。更普遍地，我们的计算表明，至少六种TMDC材料的电子结构具有透射谷。

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