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【24h】

Selective area heteroepitaxy of GaSb on GaAs (001) for in-plane InAs nanowire achievement

机译：GaSb在GaAs（001）上的选择性区域异质外延实现面内InAs纳米线的实现

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The growth of in-plane GaSb nanotemplates on a GaAs (001) substrate is demonstrated combining nanoscale patterning of the substrate and selective area heteroepitaxy. The selective growth of GaSb inside nano-stripe openings in a SiO2 mask layer is achieved at low temperature thanks to the use of an atomic hydrogen flux during the molecular beam epitaxy. These growth conditions promote the spreading of GaSb inside the apertures and lattice mismatch accommodation via the formation of a regular array of misfit dislocations at the interface between GaSb and GaAs. We highlight the impact of the nano-stripe orientation as well as the role of the Sb/Ga flux ratio on the strain relaxation of GaSb along the [110] direction and on the nanowire length along the [1-10] one. Finally we demonstrate how these GaSb nanotemplates can be used as pedestals for subsequent growth of in-plane InAs nanowires.
机译：GaAs（001）衬底上平面内GaSb纳米模板的生长被证明结合了衬底的纳米级图案化和选择性区域异质外延性。由于在分子束外延过程中使用了原子氢通量，因此可以在低温下实现SiO2掩模层中纳米条纹开口内GaSb的选择性生长。这些生长条件通过在GaSb和GaAs之间的界面上形成规则的错配位错阵列来促进GaSb在孔内的扩散和晶格失配适应。我们强调了纳米条带取向的影响以及Sb / Ga通量比对GaSb沿[110]方向的应变弛豫以及对沿[1-10]方向的纳米线长度的作用。最后，我们演示了如何将这些GaSb纳米模板用作后续In-InAs纳米线生长的基座。

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