• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Spin-photon entanglement interfaces in silicon carbide defect centers
【24h】

Spin-photon entanglement interfaces in silicon carbide defect centers

机译：碳化硅缺陷中心的自旋光子缠结界面

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Optically active spins in solid-state systems can be engineered to emit photons that are entangled with the spin in the solid. This allows for applications such as quantum communications, quantum key distribution, and distributed quantum computing. Recently, there has been a strong interest in silicon carbide defects, as they emit very close to the telecommunication wavelength, making them excellent candidates for long range quantum communications. In this work we develop explicit schemes for spin-photon entanglement in several SiC defects: the silicon monovacancy, the silicon divacancy, and the NV center in SiC. Distinct approaches are given for (i) single-photon and spin entanglement and (ii) the generation of long strings of entangled photons. The latter are known as cluster states and comprise a resource for measurement-based quantum information processing.
机译：可以对固态系统中的旋光自旋进行工程设计，以发射与固体中的自旋纠缠在一起的光子。这允许诸如量子通信，量子密钥分配和分布式量子计算之类的应用。最近，人们对碳化硅缺陷产生了浓厚的兴趣，因为它们的发射波长非常接近电信波长，使其成为长距离量子通信的极佳候选者。在这项工作中，我们为多种SiC缺陷中的自旋光子缠结开发了明确的方案：硅单空位，硅空位和SiC中的NV中心。针对（i）单光子和自旋纠缠以及（ii）长串纠缠光子的产生给出了不同的方法。后者被称为簇状态，并且包括用于基于测量的量子信息处理的资源。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号