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Sensitized superbroadband near-IR emission in bismuth glass/Si nanocrystal superlattices

机译：铋玻璃/硅纳米晶超晶格中的敏化超宽带近红外发射

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We show that sensitized superbroadband near-IR (NIR) emission in bismuth glass/Si nanocrystal superlattices can be realized. Photoluminescence is enhanced by 1 order of magnitude in this structure. We observed that the excitation wavelength dependence of the NIR emission does not show any distinct structure corresponding to the direct transition of bismuth IR-active centers. Our results suggest that the enhanced emission might result from the energy transfer from Si nanocrystals to IR-active bismuth. This structure may find broad applications for broadband amplifiers and broadly tunable laser sources.
机译：我们表明，在铋玻璃/ Si纳米晶超晶格中可以实现敏化的超宽带近红外（NIR）发射。在这种结构中，光致发光增强了1个数量级。我们观察到，近红外发射的激发波长依赖性没有显示出任何与铋红外活性中心直接跃迁相对应的独特结构。我们的结果表明，增强的发射可能是由Si纳米晶体向IR活性铋的能量转移引起的。这种结构可在宽带放大器和可广泛调谐的激光源中找到广泛的应用。

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