• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optics Letters >Directionally anisotropic Si nanowires: on-chip nonlinear grating devices in uniform waveguides
【24h】

Directionally anisotropic Si nanowires: on-chip nonlinear grating devices in uniform waveguides

机译：定向各向异性硅纳米线：均匀波导中的片上非线性光栅器件

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Computational studies are used to show that the crystalline structure of Si causes the waveguide Kerr effective nonlinearity, gamma, to vary by 10percent for in-plane variation of the orientation of a silicon nanowire waveguide (SiNWG) fabricated on a standard silicon-on-insulator wafer. Our analysis shows that this angular dependence of gamma can be employed to form a nonlinear Kerr grating in dimensionally uniform SiNWGs based on either ring resonators or cascaded waveguide bends. The magnitude of the nonlinear index variation in these gratings is found to be sufficient for phase matching in four-wave mixing and other optical parametric processes.
机译：计算研究表明，Si的晶体结构会导致波导Kerr有效非线性度γ发生10％的变化，以适应在绝缘体上标准硅上制造的硅纳米线波导（SiNWG）的面内变化硅片。我们的分析表明，基于环形谐振器或级联波导弯曲，可以将这种伽马角度依赖性用于在尺寸均匀的SiNWG中形成非线性Kerr光栅。发现这些光栅中非线性折射率变化的大小足以实现四波混频和其他光学参数过程中的相位匹配。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号