...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optics Letters >Dark current suppression in an erbium-germanium-erbium photodetector with an asymmetric electrode area
【24h】

Dark current suppression in an erbium-germanium-erbium photodetector with an asymmetric electrode area

机译：电极面积不对称的an锗锗光电探测器中的暗电流抑制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this work, suppression of the dark current level in a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector fabricated on the intrinsic (i) Ge is achieved by exploiting (1) the Er electrode, providing a relatively high hole barrier, and (2) the concept of asymmetric electrode area, to minimize the Schottky barrier height lowering effect. Compared with a symmetric MSM photodetector fabricated with Ti electrodes, the dark current level was reduced by a factor of about 80. This low dark current i-Ge MSM photodetector is promising for applications requiring low power and a high photo-to-dark-current ratio.
机译：在这项工作中，通过利用（1）Er电极，提供相对较高的空穴势垒，和（2）抑制在本征（i）Ge上制造的金属-半导体-金属（MSM）光电探测器中的暗电流水平。 ）电极面积不对称的概念，以最大程度地降低肖特基势垒高度降低效果。与由Ti电极制成的对称MSM光电探测器相比，暗电流水平降低了约80倍。这种低暗电流i-Ge MSM光电探测器有望用于要求低功率和高光暗电流的应用比。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号