...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Pulsed magnetic fields as a probe of self-assembled semiconductor nanostructures
【24h】

Pulsed magnetic fields as a probe of self-assembled semiconductor nanostructures

机译：脉冲磁场作为自组装半导体纳米结构的探针

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Pulsed magnetic fields are used to study a variety of self-assembled semiconductor nanostructures. We illustrate the power of the technique with two recent examples. In the first, we study confinement in InAs quantum dots on (1 0 0) and (3 1 1)B oriented GaAs substrates as a function of InAs coverage. We demonstrate that Stranski-Krastanow growth occurs for (1 0 0) substrates, but show that for (3 1 1)B substrates there is no such transition-rather the dots evolve from fluctuations in the wetting layer. In the second example, we investigate the Coulomb binding of 'free' electrons to holes confined to type-II GaSb/GaAs quantum dots. We find that at low laser power the electrons are repelled from the dots (by strain), but that by optical pumping the dots may be multiply charged, attracting the electrons, and more than doubling the binding energy. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：脉冲磁场用于研究各种自组装半导体纳米结构。我们通过两个最近的示例来说明该技术的强大功能。首先，我们研究InAs量子点在（1 0 0）和（3 1 1）B取向的GaAs衬底上的局限性，作为InAs覆盖率的函数。我们证明Stranski-Krastanow增长发生在（1 0 0）衬底上，但表明对于（3 1 1）B衬底没有这种过渡，而是点从润湿层的波动演变而来。在第二个示例中，我们研究了“自由”电子与受限于II型GaSb / GaAs量子点的空穴的库仑结合。我们发现，在低激光功率下，电子从点上被排斥（通过应变），但是通过光泵浦，这些点可能被多重充电，从而吸引电子，并使结合能增加一倍以上。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号