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Room temperature ferromagnetism in III-V and II-IV-V-2 magnetic semiconductors

机译：III-V和II-IV-V-2磁性半导体中的室温铁磁性

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A new class of ferromagnets-dilute magnetic semiconductors (DMS) based on III-V materials (e.g. In1-xMnxAs or Ga1-xMnxAs) - which are both semiconducting and ferromagnetic (FM) at low temperature, have attracted a great deal of attention (as working media for spintronics) following the discovery of ferromagnetisin in Ga1-xMnxAs. However, practical spintronics applications of these DMS are severely limited by the fact that they are FM only at low temperature (below about 150 K). Here we present the results of our studies in III-V (InSb) and II-IV-V-2 (CdGeAs2 and CdGeP2) materials doped with Mn which exhibit robust ferromagnetism at room temperature. mu SR experiments show that this ferromagnetism is a bulk phenomenon. (c) 2005 Published by Elsevier B.V.
机译：基于III-V材料（例如In1-xMnxAs或Ga1-xMnxAs）的新型铁磁体稀磁半导体（DMS）在低温下既是半导体又是铁磁（FM），已经引起了广泛的关注（在Ga1-xMnxAs中发现铁磁镁素后，作为自旋电子学的工作介质。但是，这些DMS的实际自旋电子学应用受到严格限制，因为它们仅在低温（低于150 K）时才是FM。在这里，我们介绍了在掺有Mn的III-V（InSb）和II-IV-V-2（CdGeAs2和CdGeP2）材料中研究的结果，这些材料在室温下表现出强大的铁磁性。 mu SR实验表明，这种铁磁性是一种整体现象。 （c）2005年由Elsevier B.V.

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