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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Influence of boron on the point defect equilibrium in highly n-doped gallium arsenide single crystals
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Influence of boron on the point defect equilibrium in highly n-doped gallium arsenide single crystals

机译：硼对高n掺杂砷化镓单晶中点缺陷平衡的影响

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High n-type conductivity of melt-grown gallium arsenide single crystals is usually achieved by doping with tellurium or silicon. The lower carrier concentration and Hall mobility in silicon-doped crystals is attributed to the formation of acceptor defects, in particular Si-As(-), the isolated gallium vacancy V-Ga(3-) and the (Si-Ga-V-Ga)(2-) complex. We show that the contamination of the crystals with boron, which is unavoidable in growing techniques using a boron oxide encapsulant, is decisive for the degree of compensation. In highly n-doped gallium arsenide crystals boron is not only incorporated as the isoelectronic defect B-Ga(0). Additionally, high concentrations of B-As(2-) and the negatively charged B-As-donor complex are formed. These acceptors can dominate the equilibrium of point defects depending on the concentration ratio of the n-dopant and boron. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：熔融生长的砷化镓单晶的高n型导电性通常是通过掺杂碲或硅来实现的。掺硅晶体中较低的载流子浓度和霍尔迁移率归因于受体缺陷的形成，特别是Si-As（-），孤立的镓空位V-Ga（3-）和（Si-Ga-V- Ga）（2-）络合物。我们表明，晶体的硼污染是补偿程度的决定性因素，硼在使用氧化硼密封剂的生长技术中不可避免。在高度n掺杂的砷化镓晶体中，硼不仅作为等电子缺陷B-Ga（0）掺入。此外，形成高浓度的B-As（2-）和带负电的B-As-给体复合物。这些受主可以控制点缺陷的平衡，具体取决于n型掺杂剂和硼的浓度比。 （C）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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