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Ferroelectric films described by the transverse Ising model

机译：横向伊辛模型描述的铁电薄膜

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Materials Sciences has made an enormous progress in the preparation and the study of ferroelectricmultilayers, thin films and superlattices. This progress opened the possibility to produce new materials,films and nanostructures whose properties can be exploited for the engineering of new materialdevices. The dielectric properties of these materials are a topic of research. The pseudospin theory basedon the transverse Ising model is generally believed to be a good microscopic description of thesesystems. We discuss an L layer film of simple cubic symmetry with nearest-neighbor exchangeinteraction in which the exchange interaction strength is assumed to be different from the bulk valuesin ns surface layers. We derive and illustrate expressions for the phase diagrams, polarization profilesand susceptibility.
机译：材料科学在铁电多层膜，薄膜和超晶格的制备和研究方面取得了巨大的进步。这一进步为生产新材料，薄膜和纳米结构提供了可能，这些新材料，薄膜和纳米结构的特性可用于新材料设备的工程设计。这些材料的介电性能是研究的主题。通常认为基于横向伊辛模型的伪自旋理论是这些系统的良好微观描述。我们讨论了具有最邻近交换相互作用的简单立方对称的L层膜，其中交换相互作用强度被认为与ns表面层中的体积值不同。我们推导并说明了相图，极化轮廓和磁化率的表达式。

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