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Electron spin resonance of light holes in porous silicon

机译：多孔硅中光洞的电子自旋共振

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A new ESR spectrum labeled Si-AA20 is revealed in porous silicon after annealing at 1000 1C. The AA20 line has a Dyson type that allows to attribute the AA20 to free carrier absorption. The AA20 spectrum is isotropic with g=2.0710. The high value of the g-factor indicates that the absorption can be hole-like.Intensity of the AA20 spectrum considerably changed upon rotation of the magnetic field H in the <011> plane, at the same time the shape and half-width of the spectrum line did not change. The intensity was maximal with H along <111> directions and decreased in 2–3 times with H along <011> and <001> directions when the intensity reached minimum. The AA20 spectrum can be explained by formation of layers in porous silicon with high concentration of free holes for compensation of negative charged traps.
机译：在1000 1C退火后，在多孔硅中发现了标记为Si-AA20的新ESR光谱。 AA20系列具有戴森类型，可将AA20归因于自由载流子吸收。 AA20光谱是各向同性的，其中g = 2.0710。 g因子的高值表明吸收可以是孔状的。随着磁场H在<011>平面上旋转，AA20光谱的强度发生了显着变化，同时其形状和半峰宽频谱线没有变化。当强度达到最小值时，沿<111>方向的H强度最大，而沿<011>和<001>方向的H强度降低2-3倍。 AA20光谱可以通过在多孔硅中形成具有高浓度自由空穴以补偿负电荷陷阱的层来解释。

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