...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Electron Raman scattering in semiconductor quantum wire in external magnetic field: Frohlich interaction
【24h】

Electron Raman scattering in semiconductor quantum wire in external magnetic field: Frohlich interaction

机译：外部磁场中半导体量子线中的电子拉曼散射：Frohlich相互作用

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The differential cross-section for an electron Raman scattering process in a semiconductor quantum wire in the presence of an external magnetic field perpendicular to the plane of confinement regarding phonon-assisted transitions, is calculated. We assume single parabolic conduction band and present a description of the phonon modes of cylindrical structures embedded in another material using the Frohlich phonon interaction. To illustrate the theory we use a GaAs/Al0.35Ga0.75As system. The emission spectra are discussed for different scattering configurations and the selection rules for the processes are also studied. The magnetic field distribution is considered constant with value B-0 inside of the wire, and zero outside.
机译：计算了在垂直于声子辅助跃迁的约束平面的外部磁场存在下，半导体量子线中电子拉曼散射过程的差分横截面。我们假设单个抛物线导带，并使用Frohlich声子相互作用描述嵌入在另一种材料中的圆柱结构的声子模式。为了说明该理论，我们使用GaAs / Al0.35Ga0.75As系统。讨论了不同散射构型的发射光谱，并研究了工艺的选择规则。磁场分布被认为是恒定的，导线内部为B-0，外部为零。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号