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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Characterization of photovoltage evolution of ZnO films using a scanning Kelvin probe system
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Characterization of photovoltage evolution of ZnO films using a scanning Kelvin probe system

机译：使用扫描开尔文探针系统表征ZnO薄膜的光电压演变

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Work function (WF) and surface photovoltage evolution of films can be measured using the Kelvin probe technique, and further analysis of the photoelectronic behavior can provide information on the energy level structure. In this paper, a theoretical analysis to measure surface photovoltage using Kelvin probe technique is presented. Based on this analysis, the surface photovoltage and its time-resolved evolution process as well as the energy level structure of ZnO films are determined using a scanning Kelvin probe. The present study therefore provides a simple and practical methodology for the characterization of the electronic behavior of films.
机译：可以使用开尔文探针技术测量薄膜的功函数（WF）和表面光电压的演变，并且对光电子行为的进一步分析可以提供有关能级结构的信息。本文提出了使用开尔文探针技术测量表面光电压的理论分析。基于此分析，使用扫描开尔文探针确定表面光电压及其时间分辨的演化过程以及ZnO薄膜的能级结构。因此，本研究提供了一种简单实用的方法来表征薄膜的电子行为。

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