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Hydrogen ion drift in Sb-doped Ge Schottky diodes

机译：掺Sb的Ge肖特基二极管中的氢离子漂移

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Ion drift of negatively charged hydrogen was detected in Sb-doped Ge. The SbH pairs exhibit a dissociation energy of 1.36(6) eV. The dissociation energy of the dopant–ion pairs is determined by reverse bias annealing (RBA). Two different experimental techniques were applied: (1) CV-profiling of the passivated dopant profile after each RBA step, (2) detection of the capacitance time response of a reversed biased Schottky diode during RBA. The advantage of the later technique is the simplicity of the measurement. This technique also allows measurements on a shorter timescale, which is advantageous in n-type Ge, where strong retrapping of the dissociated hydrogen occurs.
机译：在掺Sb的Ge中检测到带负电荷的氢的离子漂移。 SbH对表现出1.36（6）eV的离解能。掺杂剂-离子对的解离能由反向偏置退火（RBA）确定。应用了两种不同的实验技术：（1）在每个RBA步骤之后对钝化的掺杂剂分布进行CV轮廓分析;（2）在RBA期间检测反向偏置的肖特基二极管的电容时间响应。后一种技术的优点是测量简单。该技术还允许在更短的时间范围内进行测量，这在n型Ge中很有用，因为在n型Ge中会发生强烈的离解氢捕获。

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