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Dynamics of T-site muonium states in gallium phosphide

机译：磷化镓中T位mu态的动力学

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We report on the motional dynamics of Mu(-) and the ionization processes related to the Mu(T) acceptor state in n-type gallium phosphide. Muon spin resonance results on semi-insulating GaP suggest the presence of both Mu(+) and Mu(-) diamagnetic states above similar to 400 K. From the growth step in the RF amplitudes, we obtain an energy of similar to 0.82 eV for the Mu(T) acceptor-related hole ionization. The loss of the Mu- RF-component above 600 K yields an energy of similar to 1.7eV, which is assigned to thermal promotion of an electron from Mu- to the conduction band. These two results locate the Mu(T) acceptor level with respect to the valence and conduction band edges, respectively. Low-field spin precession and zero-field depolarization data on n-type GaP show a peak in diamagnetic fraction below 300 K, and a roughly linear increase in amplitude at higher temperatures.
机译：我们报告了Mu（-）的运动动力学以及与n型磷化镓中Mu（T）受体状态有关的电离过程。半绝缘GaP上的Muon自旋共振结果表明，存在超过400 K的Mu（+）和Mu（-）反磁态。从RF振幅的增长步骤，我们得到的能量类似于0.82 eV。 Mu（T）受体相关的空穴电离。超过600 K的Mu- RF分量损失会产生类似于1.7eV的能量，这被分配给电子从Mu-到导带的热促进。这两个结果分别相对于价和导带边缘定位了Mu（T）受体能级。 n型GaP上的低场自旋进动和零场去极化数据显示，低于300 K的抗磁分数达到峰值，并且在较高温度下振幅大致呈线性增加。

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