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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Structural and electronic properties of neutral clusters Ga12X (X=C, Si, Ge, Sn, and Pb) and their anions from first principles
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Structural and electronic properties of neutral clusters Ga12X (X=C, Si, Ge, Sn, and Pb) and their anions from first principles

机译：中性团簇Ga12X（X = C，Si，Ge，Sn和Pb）及其阴离子的结构和电子性质

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The structural and electronic properties of neutral and negatively charged Ga12X (X=C, Si, Ge, Sn, and Pb) clusters are calculated by the first-principles method. The results show that the most stable symmetry depends on the doped atom rather than the geometry structure. However, the geometry symmetry plays an important role in calculating the energy gap. In addition, in the anionic clusters, the added electron would reduce the energy gap by about 0.4 eV. As for the density of states (DOS), clusters with the same symmetry show a similar trend of DOS. The major impact on DOS by adding an electron is the occurrence of relative energy shift.
机译：通过第一原理方法计算中性和带负电的Ga12X（X = C，Si，Ge，Sn和Pb）团簇的结构和电子性质。结果表明，最稳定的对称性取决于掺杂原子而不是几何结构。但是，几何对称性在计算能隙中起着重要作用。另外，在阴离子簇中，添加的电子将使能隙减小约0.4 eV。至于状态密度（DOS），具有相同对称性的群集显示出类似的DOS趋势。通过添加电子对DOS的主要影响是发生相对能量移动。

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