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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Effects of strain on Goos-H?nchen-like shifts of graphene
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Effects of strain on Goos-H?nchen-like shifts of graphene

机译：应变对Goos-H？nchen样石墨烯位移的影响

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We have studied the Goos-H?nchen-like (GHL) shifts for massless Dirac electrons passing across a potential barrier in strained graphene. The analytical solutions of the transmission coefficient and the GHL shifts are obtained. The GHL shifts as the function of the strain tensor and direction, the incidence angle and the barriers width are discussed. We also explore how critical angles change as the strain tensor and incidence electron energy change. Finally, we make a proposal of experimental measurement of the GHL shifts. The study of the GHL shifts will make for applications in graphene-based nano-electronics.
机译：我们研究了无质量Dirac电子穿过应变石墨烯中势垒的Goos-H？nchen-like（GHL）位移。得到了透射系数和GHL位移的解析解。 GHL位移是应变张量和方向，入射角和势垒宽度的函数。我们还探索了临界角如何随着应变张量和入射电子能量的变化而变化。最后，我们提出了GHL偏移的实验测量建议。 GHL转变的研究将在基于石墨烯的纳米电子学中得到应用。

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