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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces >Real-Time Study of CVD Growth of Silicon Oxide on Rutile TiO2(110) Using Tetraethyl Orthosilicate
【24h】

Real-Time Study of CVD Growth of Silicon Oxide on Rutile TiO2(110) Using Tetraethyl Orthosilicate

机译：正硅酸四乙酯在金红石型TiO2（110）上CVD生长氧化硅的实时研究

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The interaction of the ruffle TiO2(110) surface with tetraethyl orthosilicate (TEOS) in the pressure range from UHV to 1 mbar as well as the TEOS-based chemical vapor deposition of SiO2 on the TiO2(110) surface were monitored in real time using near-ambient pressure X-ray photoelectron spectroscopy. The experimental data and density functional theory calculations confirm the dissociative adsorption of TEOS on the surface already at room temperature. At elevated pressure, the ethoxy species formed in the adsorption process undergoes further surface reactions toward a carboxyl species not observed in the absence of a TEOS gas phase reservoir. Annealing of the adsorption layer leads to the formation of SiO2, and an intermediate oxygen species assigned to a mixed titanium/silicon oxide is identified. Atomic force microscopy confirms the morphological changes after silicon oxide formation.
机译：可以使用以下方法实时监测褶皱TiO2（110）表面与正硅酸四乙酯（TEOS）在超高压至1 mbar压力下的相互作用以及SiO2在TiO2（110）表面上的基于TEOS的SiO2化学气相沉积接近环境压力的X射线光电子能谱。实验数据和密度泛函理论计算证实了TEOS在室温下已经在表面上解离吸附。在升高的压力下，在吸附过程中形成的乙氧基物质进一步朝着没有TEOS气相储层的情况下未观察到的羧基物质发生表面反应。吸附层的退火导致形成SiO2，并确定了分配给混合的钛/氧化硅的中间氧物种。原子力显微镜证实了氧化硅形成后的形态变化。

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