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Spectroscopic Analysis of Eu3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires

机译：Eu3 +注入和退火的GaN层和纳米线的光谱分析

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A detailed spectroscopic analysig Of Eu3+ implanted and annealed, GaN nanowires (NWs) and layers is presented by using temperature-dependent steady-state photoluminescence, room temperature photoluminescence excitation, and,tirne-reSolved photoluminescence. Independently of the used implantation-angle and ion fluence, all the studied postimplant annealed, sarriples evidence rd D-5(0) > F-7(J), luminescence:transitions of the Eu3+ (4f(6)) ions. One dominant Err(3+) optical center was found for both GaN NVVs and layers, together with the presence of different:overlapped Eu3+ minority Optical, centers. The thermal stability of the intra-46 lines Was found to be higher for the NI/Vs Where, the red emission is observed -with the naked eye even- at room temperature,. Betides the lanthanide emission, the photoluminescence speCtfa of the NWs iand layers exhibit a broad, yellow luminescence band (YL),differing slightly in the Spectral shape and peak position in the different samples. While the YL in the layers is commonly ascribed to a free to bound (e-A) or donor acceptor pair (DAP) transitions, the recombination kinetics ofthe YL in the NVVs supports a model for a surface-mediated recombination process.
机译：通过使用与温度相关的稳态光致发光，室温光致发光和经Tirne解析的光致发光，对Eu3 +注入并退火的GaN纳米线（NWs）和层进行了详细的光谱分析。与所使用的注入角和离子通量无关，所有研究的植入后退火均受到破坏，有证据表明D-5（0）> F-7（J），发光：Eu3 +（4f（6））离子的转变。 GaN NVV和层都发现了一个主要的Err（3+）光学中心，并且存在不同的：重叠的Eu3 +少数光学中心。对于NI / Vs，发现46内线的热稳定性更高，其中在室温下甚至用肉眼观察到红色发射。除了镧系元素发射，NWs夹层的光致发光光谱显示出宽泛的黄色发光带（YL），在不同样品中的光谱形状和峰位置略有不同。尽管各层中的YL通常归因于自由键合（e-A）或供体受体对（DAP）跃迁，但NVV中YL的重组动力学为表面介导的重组过程提供了模型。

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