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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Valence band offset at the CdS/Cu2ZnSnS4 interface probed by x-ray photoelectron spectroscopy
【24h】

Valence band offset at the CdS/Cu2ZnSnS4 interface probed by x-ray photoelectron spectroscopy

机译：X射线光电子能谱探测CdS / Cu2ZnSnS4界面的价带偏移

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The valence band offset (VBO) at the interface CdS/Cu_2ZnSnS _4 was investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The VBO was measured by two different procedures: an indirect method involving the measurements of the core levels together with the XPS bulk valence band (VB) spectra and a direct method involving the analysis of XPS VB spectra at the interface. The indirect method resulted in a VBO value of (-1.20 ± 0.14) eV while the direct method returned a similar value of (-1.24 ± 0.06) eV but affected by a lower uncertainty. The conduction band offset (CBO) was calculated from the measured VBO values. These two measured values of the VBO allowed us to calculate the CBO, giving (-0.30 ± 0.14) eV and (-0.34 ± 0.06) eV, respectively. These values show that the CBO has a cliff-like behaviour which could be one of the reasons for the V_(oc) limitation in the CdS/CZTS solar cells.
机译：通过X射线光电子能谱（XPS）研究了CdS / Cu_2ZnSnS _4界面上的价带偏移（VBO）。 VBO是通过两种不同的程序进行测量的：一种间接方法，涉及测量核心水平以及XPS本体价带（VB）光谱;一种直接方法，涉及分析界面处的XPS VB光谱。间接方法的VBO值为（-1.20±0.14）eV，而直接方法的VBO值为（-1.24±0.06）eV，但不确定性较低。根据测量的VBO值计算导带偏移（CBO）。 VBO的这两个测量值使我们能够计算CBO，分别给出（-0.30±0.14）eV和（-0.34±0.06）eV。这些值表明CBO具有类似悬崖的行为，这可能是CdS / CZTS太阳能电池中V_（oc）限制的原因之一。

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