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Non-power-driven organic photodiode via junction engineering

机译：通过结工程的非动力驱动有机光电二极管

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Here we introduce a junction engineering approach to realize a high performance non-power-driven organic photodiode. To overcome the external power source dependency of conventional photodiodes, in this work, we try not only to implement an inherently large built-in-potential of the junction but also to utilize an inherently low charge carrier concentration of the semiconductor. The strategically designed ITO/plasma-treated ZnO/poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene] (MEH-PPV)/MoO3/Ag geometry showed near-ideal Schottky junction properties with a high zero-bias built-in potential of 0.54 eV, leading to a zero-bias depletion width of 470 nm. As a result, a green-selective polymeric photodiode with high zero-bias detectivity up to 5 x 10(11) Jones and a low noise equivalent power of 2.98 x 10(-12) W Hz(-1)(/)(2) are demonstrated, revealing the possibility of a thin film, color-selective and non-power-driven polymeric photodiode for battery-free application.
机译：在这里，我们介绍了结合工程方法来实现高性能的非动力驱动有机光电二极管。 为了克服传统光电二极管的外部电源依赖性，在这项工作中，我们不仅可以实现结合的固有大的内置电位，而且还用于利用半导体的固有低电荷载流子浓度。 战略设计的ITO /等离子体处理的ZnO / Poly [2-甲氧基-5-（2'-乙基己氧基）-P-苯基乙烯基]（Meh-PPV）/ MOO3 / Ag几何形状显示出近乎理想的肖特基结符，具有高度 零偏置的内置电位为0.54eV，导致零偏置耗尽宽度为470nm。 结果，具有高零偏压检测率的绿色选择性聚合物光电二极管，高达5×10（11）琼斯和低噪声等效功率为2.98×10（-12）W Hz（/）（2 证明，揭示了无电池施加的薄膜，彩色选择性和非动力驱动的聚合物光电二极管的可能性。

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