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High efficiency Si quantum dot heterojunction solar cells using a single SiOx:B layer

机译：使用单个SiOx的高效率Si量子点异质结太阳能电池：B层

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Si quantum dots (QDs) have been fabricated from SiO2/SiOX multilayer structures to create a homogeneous size. However, this structure achieved much lower efficiencies than would be expected in the Si QD photovoltaic field. This is because Si QD generation and photoexcited carrier transport is restricted by the adjacent SiO2 layer. In this study, we applied a single SiOX:B layer fabrication method to the Si QD heterojunction solar cells. The number of generated Si QDs and the photo-excited carrier lifetime was maximized when the oxygen partial pressure and boron doping concentration parameters were 2.7 x 10(-5) Torr and 2.27 x 10(21) atoms cm(-3), respectively. As a result, in excess of 17% power conversion efficiency for the Si QD heterojunction solar cell was achieved using the single layer method.
机译：Si量子点（QDS）由SiO2 / SiOx多层结构制造，以产生均匀尺寸。 然而，这种结构效率远远低于Si QD光伏电磁场中的效率。 这是因为SI QD生成和光屏蔽的载波传输由相邻的SiO2层限制。 在这项研究中，我们将单个SiOx：B层制造方法应用于Si QD异质结太阳能电池。 当氧分压和硼掺杂浓度参数分别为2.7×10（ - 5）托和2.27×10（21）原子cm（-3）时，产生的Si QD和光激载体寿命的数量最大化。 结果，使用单层方法实现了Si QD异质结太阳能电池的17％功率转换效率。

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