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Phase evolution of ultra-thin Ni silicide films on CF4 plasma immersion ion implanted Si

机译：超薄Ni硅化物膜对CF4等离子体浸没离子植入Si的相位演化

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We present a systematic study on the effects of CF4 plasma immersion ion implantation (PIII) in Si on the phase evolution of ultra-thin Ni silicides. For 3 nm Ni, NiSi2 was formed on Si substrates with and without CF4 PIII at temperature as low as 400 degrees C. For 6 nm Ni, NiSi was formed on pure Si, while epitaxial NiSi2 was obtained on CF4 PIII Si. The incorporation of C and F atoms in the thin epitaxial NiSi2 significantly reduces the layer resistivity. Increasing the Ni thickness to 8 nm results in the formation of NiSi, where the thermal stability of NiSi, the NiSi/Si interface and Schottky contacts are significantly improved with CF4 PIII. We suggest that the interface energy is lowered by the F and C dopants present in the layer and at the interface, leading to phase evolution of the thin Ni silicide.
机译：我们对Si在超薄Ni硅化物的阶段演化中的CF4等离子体浸泡离子注入（PIII）的影响进行了系统研究。 对于3nM Ni，在具有且不在温度下的Si底物上形成NISI 2，在低至400℃的温度下，在纯Si上形成NISI，在CF4 PIII Si上形成外延NISI2。 在薄的外延NISI2中的C和F原子掺入显着降低了层电阻率。 将Ni厚度增加到8nm导致NISI的形成，其中NISI的热稳定性，NISI / SI接口和肖特基触点与CF4 PIII显着改善。 我们认为接口能量由存在于层和界面中的F和C掺杂剂降低，从而导致薄Ni硅化物的相位演化。

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