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Macro van der Waals p-n heterojunction based on SnSe and SnSe2

机译：基于SNSE和SNSE2的宏范德瓦尔斯P-N异性结

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Van der Waals (vdW) heterojunctions based on two-dimensional materials have attracted great attention in emerging photoelectronics. However, the low-efficiency growth of single crystals significantly limits the practical applications of vdW heterojunctions. Here, we report a macro SnSe/SnSe(2)heterojunction assembled by conformally transferring in-plane p-type SnSe on n-type SnSe(2)synthesized by chemical vapor deposition. With well-matched band alignments, the SnSe/SnSe(2)vdW photodetector exhibits dramatically enhanced performance with a responsivity of 17.5 mA W(-1)and a response time of 17 ms, comparing with the sole SnSe or SnSe(2)based photodetector.
机译：Van der Waals（VDW）基于二维材料的异电功能在新兴光电子中引起了极大的关注。 然而，单晶的低效率生长明显限制了VDW杂交功能的实际应用。 在这里，我们通过在通过化学气相沉积合成的N型SNSE（2）上，通过在通过化学气相沉积合成的N型SNSE（2）上，报告组装的宏SNSE / SNSE（2）异质结。 具有良好的频段对准，SNSE / SNSE（2）VDW光电探测器表现出显着提高的性能，响应值为17.5 mA W（-1）和17 ms的响应时间，与基于唯一的SNSE或SNSE（2）相比。 光电探测器。

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