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Growth modulation of Ga2S3 horizontal nanowires and its optical properties

机译：Ga2S3水平纳米线的生长调制及其光学性质

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Highly ordered Ga2S3 horizontal nanowires (NWs) on r-plane sapphire were successfully grown by chemical vapor deposition using carbothermal reduction reaction. By adjusting experimental conditions, the density of NWs has increased from 8.4 x 10(6) to 4.0 x 10(7) mm(-2). The morphology, structure, composition and optical properties of Ga2S3 NWs were characterized through field emission scanning electron microscopy, atomic force microscope, transmission electron microscopy, x-ray diffraction, Raman, x-ray photoelectron spectroscopy and so on. The Au particles at the end of the NWs prove that the growth of the horizontal NWs is controlled by the VLS mechanism. The measurement of nonlinear properties of Ga2S3 nanomaterials indicates one-dimensional Ga2S3 processes excellent nonlinear effect. Our work opens a new way to synthesize Ga2S3 NWs and provides a reference to explore the optical applications of Ga2S3 nanomaterials such as micro tunable laser in the future.
机译：通过使用碳热还原反应，通过化学气相沉积成功地生长了高度有序的GA2S3水平纳米线（NWS）。 通过调节实验条件，NW的密度从8.4×10（6）增加到4.0×10（7）mm（-2）。 通过场发射扫描电子显微镜，原子力显微镜，透射电子显微镜，X射线衍射，拉曼，X射线光电子能谱等，表征了Ga2S3NW的形态，结构，组成和光学性质。 NWS末端的Au颗粒证明了水平NWS的生长由VLS机构控制。 Ga2S3纳米材料的非线性性质的测量表示一维GA2S3处理优异的非线性效果。 我们的工作开辟了一种新的方式来综合GA2S3 NWS，并提供参考，探讨GA2S3纳米材料（如未来微调激光）的光学应用。

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