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【24h】

Importance of the substrate's surface evolution during the MOVPE growth of 2D-transition metal dichalcogenides

机译：在2D-过渡金属二甲基化物的MOVPE生长过程中基材表面演变的重要性

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In this paper, we explore the impact of changing the growth conditions on the substrate surface during the metal-organic vapor phase epitaxy of 2D-transition metal dichalcogenides. We particularly study the growth of molybdenum disulfide (MoS2) on sapphire substrates at different temperatures. We show that a high temperature leads to a perfect epitaxial alignment of the MoS2 layer with respect to the sapphire substrate underneath, whereas a low temperature growth induces a 30 degrees epitaxial alignment. This behavior is found to be related to the different sapphire top surface re-arrangement under H2S environment at different growth temperatures. Structural analyses conducted on the different samples confirm an improved layer quality at high temperatures. MoS2 channel-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors are fabricated showing improved device performance with channel layers grown at high temperature.
机译：在本文中，我们探讨了在2D-过渡金属二甲基甲基化物的金属 - 有机气相外延期间改变基板表面上的生长条件的影响。 我们特别研究在不同温度下的蓝宝石底物上的二硫化钼（MOS2）的生长。 我们表明，高温导致MOS2层相对于下面的蓝宝石衬底的完美外延对准，而低温生长诱导30度的外延对准。 发现这种行为与不同生长温度下的H2S环境下的不同蓝宝石顶表面重新布置有关。 在不同样品上进行的结构分析在高温下确认了改进的层质量。 MOS2基于通道的金属氧化物 - 半导体场效应晶体管显示出在高温下生长的通道层的改进的装置性能。

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