• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices
【24h】

Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices

机译：用于节能神经晶体器件磁纳米线中畴壁的电压控制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

An energy-efficient voltage-controlled domain wall (DW) device for implementing an artificial neuron and synapse is analyzed using micromagnetic modeling in the presence of room temperature thermal noise. By controlling the DW motion utilizing spin transfer or spin-orbit torques in association with voltage generated strain control of perpendicular magnetic anisotropy in the presence of Dzyaloshinskii-Moriya interaction, different positions of the DW are realized in the free layer of a magnetic tunnel junction to program different synaptic weights. The feasibility of scaling of such devices is assessed in the presence of thermal perturbations that compromise controllability. Additionally, an artificial neuron can be realized by combining this DW device with a CMOS buffer. This provides a possible pathway to realize energy-efficient voltage-controlled nanomagnetic deep neural networks that can learn in real time.
机译：通过在室温热噪声的情况下，使用微磁性建模分析用于实现人工神经元和突触的节能电压控制域壁（DW）装置。 通过控制Dzyaloshinskii-Moriya相互作用存在相关的旋转转移或旋转轨道扭矩与垂直磁各向异性的电压产生的垂直磁各向异性的应变控制，DW的不同位置在磁隧道结的自由层中实现 程序不同的突触权重。 在损害可控性的热扰动的存在下评估这种装置的缩放的可行性。 另外，通过将该DW装置与CMOS缓冲液组合来实现人造神经元。 这提供了实现可以实时学习的节能电压控制的纳米磁性网络的可能途径。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号