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首页> 外文期刊>Nanotechnology >Low temperature photoconductivity of few layer p-type tungsten diselenide (WSe2) field-effect transistors (FETs)
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Low temperature photoconductivity of few layer p-type tungsten diselenide (WSe2) field-effect transistors (FETs)

机译：低温光电导性少数层P型钨丁烯（WSE2）场效应晶体管（FET）

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We report on the low-temperature photoconductive properties of few layer p-type tungsten diselenide (WSe2) field-effect transistors (FhTs) synthesized using the chemical vapor transport method. Photoconductivity measurements show that these FhTs display room temperature photo-responsivities of similar to 7 mAW(-1) when illuminated with a laser of wavelength lambda = 658 nm with a power of 38 nW. The photo-responsivities of these FhTs showed orders of magnitude improvement (up to similar to 1.1 AW(-1) with external quantum efficiencies reaching as high as similar to 188%) upon application of a gate voltage (V-G = -60 V). A temperature dependent (100 K T 300 K) photoconductivity study reveals a weak temperature dependence of responsivity for these WSe2 phototransistors. We demonstrate that it is possible to obtain stable photo-responsivities of similar to 0.76 +/- 0.2 AW(-1 )(with applied V-G = -60 V), at low temperatures in these FhTs. These findings indicate the possibility of developing WSe2-based FETs for highly robust, efficient, and swift photodetectors with a potential for optoelectronic applications over a broad range of temperatures.
机译：我们报告使用化学蒸汽传输方法合成的少数P型钨丁烯酯（WSE2）场效应晶体管（FHT）的低温光电导性能。光电导性测量表明，当用波长λ= 658nm的激光照射时，这些FHT显示室温光响应，其类似于7个MAW（-1），其功率为38nW。这些FHT的光响应性显示栅极电压（V-G = -60 V）时，外部量子效率的级别改善（最多类似于1.1 AW（-1），外部量子效率为高于188％）。温度依赖性（100k＆ 300 k）光电导性研究揭示了对这些WSE2光电晶体管的响应性的弱温依赖性。我们证明可以获得类似于0.76 +/- 0.2 AW（-1）（用施加的V-G = -60 V）的稳定的光响应，在这些FHT中的低温下。这些发现表明，用于开发基于WSE2的FET，用于高稳健，高效，快速的光电探测器，其具有在广泛的温度范围内的光电应用的潜力。

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