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Optical and structural characterisation of epitaxial nanoporous GaN grown by CVD

机译：CVD生长的外延纳米孔GaN的光学和结构特征

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In this paper we study the optical properties of nanoporous gallium nitride (GaN) epitaxial layers grown by chemical vapour deposition on non-porous GaN substrates, using photoluminescence, cathodoluminescence, and resonant Raman scattering, and correlate them with the structural characteristic of these films. We pay special attention to the analysis of the residual strain of the layers and the influence of the porosity in the light extraction. The nanoporous GaN epitaxial layers are under tensile strain, although the strain is progressively reduced as the deposition time and the thickness of the porous layer increases, becoming nearly strain free for a thickness of 1.7 mu m. The analysis of the experimental data point to the existence of vacancy complexes as the main source of the tensile strain.
机译：在本文中，研究通过化学气相沉积在非多孔GaN底物上生长的纳米多孔氮化镓（GaN）外延层的光学性质，使用光致发光，阴极发光和谐振拉曼散射，并将它们与这些薄膜的结构特性相关联。 我们特别注意分析层的残留应变及孔隙率在光萃取中的影响。 纳米多孔GaN外延层位于拉伸应变下，尽管随着沉积时间和多孔层的厚度增加，菌株逐渐减小，但厚度为1.7μm的厚度几乎菌株。 实验数据点的分析到空位复合物的存在作为拉伸应变的主要来源。

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