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Electrical transport and persistent photoconductivity in monolayer MoS2 phototransistors

机译：单层MOS2光电晶体管中的电气传输和持续光电导性

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We study electrical transport properties in exfoliated molybdenum disulfide (MoS2) back-gated field effect transistors at low drain bias and under different illumination intensities. It is found that photoconductive and photogating effect as well as space charge limited conduction can simultaneously occur. We point out that the photoconductivity increases logarithmically with the light intensity and can persist with a decay time longer than 10(4) s, due to photo-charge trapping at the MoS2/SiO2 interface and in MoS2 defects. The transfer characteristics present hysteresis that is enhanced by illumination. At low drain bias, the devices feature low contact resistance of 1.4 k Omega mu m(-1), ON current as high as 1.25 nA mu m(-1), 10(5) ON-OFF ratio, mobility of similar to 1 cm(2) V-1 s(-1) and photoresponsivity. R approximate to 1 AW(-1).
机译：我们在低漏极偏压下和在不同的照明强度下研究剥落的钼二硫化钼（MOS2）背门效应晶体管的电气传输性能。 发现可以同时发生光电导和光电导光效果以及空间电荷有限的传导。 我们指出，由于MOS2 / SiO2接口和MOS2缺陷在MOS2缺陷处，光电导光具有光电强度，并且可以持续到衰减时间超过10（4）秒的衰减时间。 转移特征存在通过照明增强的滞后。 在低漏极偏压下，器件具有低至1.4kΩmum（-1）的低接触电阻，电流高达1.25 na mu m（-1），10（5）个开关比，类似于1的移动性 CM（2）V-1 S（-1）和光反对子。 r近1 aw（-1）。

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