机译:具有高载流子迁移率的碳 - 磷化膦单层,可察觉的I-V对优质气体感测的响应
Uppsala Univ Dept Phys &
Astron Mat Theory Div Condensed Matter Theory Grp POB 516 S-75120 Uppsala Sweden;
Chalmers Univ Technol Dept Microtechnol &
Nanosci MC2 SE-41296 Gothenburg Sweden;
Uppsala Univ Dept Phys &
Astron Mat Theory Div Condensed Matter Theory Grp POB 516 S-75120 Uppsala Sweden;
Univ Southern Denmark Mads Clausen Inst NanoSYD Odense Denmark;
Univ Southern Denmark Mads Clausen Inst NanoSYD Odense Denmark;
Uppsala Univ Dept Phys &
Astron Mat Theory Div Condensed Matter Theory Grp POB 516 S-75120 Uppsala Sweden;
机译:具有高载流子迁移率的碳 - 磷化膦单层,可察觉的I-V对优质气体感测的响应
机译:十八型功能单层金属氧化物:具有优异的抗氧化性和超高载体移动的宽带隙半导体
机译:具有高稳定性,可调谐带隙,高载体移动性和NO2的气体传感的新型二维Δ-InP3单层
机译:Ge nFET具有高电子迁移率和出色的PBTI可靠性,可通过单层Si表面钝化和La诱导的界面偶极子形成来实现
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:第一性原理研究SiAs和SiAs2单层中的应变可调带隙和高载流子迁移率
机译:具有优异载流子迁移率的碳化磷单层膜
机译:受体密度对alGaas / Gaas mODFET高通道载流子密度I-V特性的影响