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A molten salt-based nitridation approach for synthesizing nanostructured InN electrode materials

机译：基于熔融盐的氮化方法，用于合成纳米结构INN电极材料

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Single-phase InN nanocrystals were synthesized for the first time by a molten salt-based nitridation approach using InCl(3)and LiNH(2)as indium and nitrogen sources, respectively. A molten salt, KCl-LiCl, during nitridation, enabled us to obtain InN nanocrystals at relatively low temperatures ranging from 400 degrees C to 500 degrees C. SEM and HR-TEM measurements coupled with XRD data revealed that InN nanocrystals were formed with average grain sizes of approximately 50-60 nm. Notably, the photoelectrochemical cell fabricated using the InN nanocrystals synthesized at 450 degrees C exhibited a photocurrent response under light irradiation from 400 nm to 880 nm. The precise control of the growth of InN particles using our synthetic approach provides opportunities for developing versatile nitride nanocrystals.
机译：通过分别使用含有（3）和LINH（2）作为铟和氮源，通过熔融盐的氮化方法首次合成单相inn纳米晶。 熔融盐，KCl-LiCl在氮化期间使我们能够在相对低的温度下获得400℃至500℃的含量纳米晶体。与XRD数据相结合的SEM和HR-TEM测量结果显示，INN纳米晶体形成为平均晶粒 大小约为50-60nm。 值得注意的是，使用在450℃合成的Inn纳米晶体制造的光电化学电池在400nm至880nm的光照照射下表现出光电流响应。 使用我们的合成方法精确控制Inn颗粒的生长为开发通用氮化物纳米晶体的机会提供了机会。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2020年第61期|共6页
  • 作者

    Purwiandono Gani; Manseki Kazuhiro; Sugiura Takashi;

  • 作者单位

    Gifu Univ Grad Sch Nat Sci &

    Technol Gifu 5011193 Japan;

    Gifu Univ Grad Sch Nat Sci &

    Technol Gifu 5011193 Japan;

    Gifu Univ Grad Sch Nat Sci &

    Technol Gifu 5011193 Japan;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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