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首页> 外文期刊>Optics Communications: A Journal Devoted to the Rapid Publication of Short Contributions in the Field of Optics and Interaction of Light with Matter >The charge confinement effect of quantum-well Alq(3)-based OLEDs by dual-pulsed transient electroluminescence
【24h】

The charge confinement effect of quantum-well Alq(3)-based OLEDs by dual-pulsed transient electroluminescence

机译：双脉冲瞬态电致发光的量子井ALQ（3）基于OLED的电荷限制效果

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In this paper, the dual-pulsed transient electroluminescence (EL) characteristics in organic light-emitting diodes (OLEDs) with NPB/Alq(3) multiple quantum-well (MQW) structures are investigated in detail. The threshold duty-ratio (delta(th)) is found in the NPB/Alq(3) MQW devices, whereas the bilayer NPB/Alq(3) device does not appear. Then the delta(th) in single and double wells are 0.68 and 0.35, respectively. In the single QW device, the second pulsed intensity will be greater than the first pulsed strength after reaching the delta(th), while the double QW device is the opposite. This is due to the charge diffusion effect in the Alq(3) well layer near the cathode of MQW devices. As the well numbers increase, it is different from the fall time remaining almost constant, the transient delay time will increase linearly, which is totally caused by the recombination position of excitons.
机译：本文详细研究了具有NPB / ALQ（3）多量子阱（MQW）结构的有机发光二极管（OLED）中的双脉冲瞬态电致发光（EL）特性。 在NPB / ALQ（3）MQW器件中发现阈值占空比（Delta（Th）），而双层NPB / ALQ（3）器件没有出现。 然后单个和双孔中的Δ（Th）分别为0.68和0.35。 在单个QW装置中，第二脉冲强度在到达Δ（TH）之后将大于第一脉冲强度，而双QW装置是相反的。 这是由于在MQW器件的阴极附近的ALQ（3）阱层中的电荷扩散效果。 随着井数增加，它与剩余的下降时间几乎恒定不同，瞬态延迟时间将线性增加，这是由激子的重组位置引起的。

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