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首页> 外文期刊>Optics Letters >Vertically aligned GaN nanorod arrays/p-Si heterojunction self-powered UV photodetector with ultrahigh photoresponsivity
【24h】

Vertically aligned GaN nanorod arrays/p-Si heterojunction self-powered UV photodetector with ultrahigh photoresponsivity

机译：垂直对齐的GaN nanorod阵列/ p-si异质结具有超高光学思考性的自动UV光电探测器

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摘要

Self-powered photodetectors have demonstrated potential for developing future wireless and implantable devices. Herein, we present a self-powered UV photodetector with an ultrahigh photoresponse based on vertically oriented and high crystalline quality n-type GaN nanorod arrays: poly(methyl methacrylate)/p-Si heterojunction. Benefiting from the highly efficient separation and transport of photoexcited electron-hole pairs, significant improvements in photoresponsivity are experimentally obtained. In a zero-biased self-powered detection mode, a 6.7 A W-1 responsivity and 2.68 x 10(13) Jones detectivity are achieved under 355 nm light illumination, and the response time is as low as 0.29/3.07 ms (rise/fall times). (C) 2020 Optical Society of America
机译：自动光电探测器已经证明了开发未来无线和可植入设备的潜力。 这里，我们向自动UV光探测器呈现具有基于垂直定向的和高结晶质量N型GaN纳米峰阵列的超高光学响应：聚（甲基丙烯酸甲酯）/ p-Si异质结。 从高效的分离和运输中受益于光屏蔽的电子 - 孔对，实验获得了光响应性的显着改善。 在零偏置的自动检测模式下，在355 nm光照下实现6.7 A W-1响应度和2.68×10（13）琼斯探测率，响应时间低至0.29 / 3.07 ms（上升/ 秋季）。 （c）2020美国光学学会

著录项

  • 来源
    《Optics Letters》 |2020年第17期|共4页
  • 作者

    Zheng Yulin; Tang Xin; Yang Yuhui; Wang Wenliang; Li Guoqiang;

  • 作者单位

    South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &

    Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;

    South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &

    Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;

    South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &

    Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;

    South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &

    Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;

    South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &

    Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 计量学;光学;
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