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High-power back-to-back dual-absorption germanium photodetector

机译：高功率背靠背双吸收锗光电探测器

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A high-power germanium photodetector is designed and fabricated using a cold-wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. A back-to-back dual-absorption structure improves high-power characteristics by reducing the spacecharge effect. Compared to a typical p-i-n photodetector, the saturated photocurrent of the back-to-back dual-absorption photodetector is improved from 16.2 to 21.3 mA at -3 V. At a bias voltage of -1 V, the dark current is 1.31 mu A. The optical responsivities are 0.31 and 0.52 A/W at 1550 and 1310 nm, respectively. The 3 dB bandwidth of 4.14 GHz is achieved at -3V. Theoretically, the 3 dB bandwidth can be further optimized in future device fabrication. (C) 2020 Optical Society of America
机译：使用冷壁超高真空化学气相沉积设计和制造大功率锗光电探测器。 通过减少间隔效应，反向反向双吸收结构提高了高功率特性。 与典型的销光电探测器相比，背对背双吸收光电探测器的饱和光电流在-3V的16.2至21.3mA中提高到-3V的偏压。暗电流为1.31μA。 光学响应分别在1550和1310nm处为0.31和0.52A / W. 4.14 GHz的3 dB带宽在-3V下实现。 从理论上讲，在未来的设备制造中可以进一步优化3dB带宽。 （c）2020美国光学学会

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