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【24h】

Enhanced p-CuI/n-ZnO photodetector based on thermal evaporated CuI and pulsed laser deposited ZnO nanowires

机译：基于热蒸发的CuI和脉冲激光沉积ZnO纳米线的增强型P-CUI / N-ZnO光电探测器

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The p-CuI/n-ZnO heterojunction photodetectors have been fabricated by thermal evaporation technique and pulsed laser deposition with a tubular furnace. The morphology, structure, and the light response performances of the device were investigated. The p-CuI/n-ZnO heterojunction photodetectors demonstrated a high on/off ratio of 5500, high peak responsivity of 0.235 A/W, and high specific detectivity of 1.23 x 10(12)( )cmHz(1/2)/W at -5 V bias voltage under 385 nm light illumination. Furthermore, the p-CuI/n-ZnO heterojunction photodetectors exhibited excellent reproducibility and stability. (C) 2020 Optical Society of America
机译：通过热蒸发技术和管状炉脉冲激光沉积制造了P-CUI / N-ZnO异质结光电探测。 研究了该装置的形态，结构和光响应性能。 P-CUI / N-ZnO异质结光电探测器证明了5500的高开/关比，高峰响应度为0.235A / W，高比检测率为1.23×10（）CMHz（1/2）/ W. 在385nm光照下的-5 V偏置电压下。 此外，P-CUI / N- ZnO异质结芯探测器表现出优异的再现性和稳定性。 （c）2020美国光学学会

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