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Effect of temperature on the Fowler-Nordheim barrier height, flat band potentials and electron/hole effective masses in the MOS capacitors

机译：温度对MOS电容器中的福勒 - 诺尔海姆屏障高度，扁平带电位和电子/空穴有效质量的影响

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The current voltage characteristics versus temperature were measured in MOS (Metal Oxide Semiconductor) capacitor structures in the range of [303 423] K. These measurements were investigated by Fowler-Nordheim (FN) tunneling current characterized by the FN parameters like: the effective mass of the charge carrier in the oxide m(ox), the effective mass of the charge carrier in the semiconductor m(sc), the barrier height of the charge carriers phi(B) and the corrected oxide voltage V-corr. Our process enabled us a simultaneous extraction of the four FN parameters (m(ox), m(sc), phi(B), V-corr) for each temperature by means of an optimization method using just these measured current-voltage curves. This parameters extraction made a possible study of m(ox), m(sc), phi(B) and V-corr evolution with the temperature. We have found a decrease of both m(ox) and m(sc) with the increase of temperature that could provide us with an oxide with a charge carrier of low effective mass.
机译：在[303 423] K的范围内的MOS（金属氧化物半导体）电容器结构中测量电流电压特性与温度的电容器结构。通过FN参数的福勒 - 诺德海姆（FN）隧道电流研究了这些测量值，如：有效质量 在氧化物M（ox）中的电荷载体，半导体M（SC）中的电荷载体的有效质量，电荷载体PHI（B）的阻挡高度和校正的氧化物电压V-erc。 我们的过程使我们通过使用这些测量的电流电压曲线的优化方法同时提取每个温度的四个FN参数（M（o（牛），m（sc），phi（b），v-corr）。 该参数提取对M（OX），M（SC），PHI（B）和V-CON展开的可能研究进行了温度。 我们已经发现m（牛）和m（sc）的降低随温度的增加，可以为我们提供具有低有效质量的电荷载体的氧化物。

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