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Observation of linear magneto-resistance with small cross-over field at room temperature in bismuth

机译：铋室温度下小交叉场线性磁阻观察

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We report the observation of linear magneto-resistance (LMR) with a very low cross-over magnetic field (B-c) at room temperature in bismuth(110) thin films fabricated using thermal evaporation. The magneto-resistance at different temperatures (T) indicate thatB(c)has a strongT-dependence, and displays a remarkably small magnitude of 180 mT atT = 300 K. The parameter phi, defined as the MR% (B = 1 T)/B(c)is 248, is considerably higher at room temperature compared to values previously reported in literature. The observed LMR is likely due to the recombination of carriers in compensated systems near charge neutrality. Our measurements demonstrate that the LMR can be observed at a very low field and highT, which can be utilized in a variety of applications.
机译：我们在使用热蒸发制造的铋（110）薄膜中，在室温下在室温下与非常低的交叉磁场（B-C）进行线性磁场（LMR）的观察。 不同温度（t）的磁阻表示BB（C）具有强度依赖性，并且显示出显着较小的180 mt Att = 300k。参数phi，定义为MR％（b = 1 t） / B（c）是248，在室温相比，与先前在文献中报道的值相比相当高。 观察到的LMR可能是由于载体在电荷中立附近的补偿系统中的重组。 我们的测量表明，LMR可以在非常低的场和高位上观察，这可以用于各种应用。

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