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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Temperature dependent switching behavior and photovoltaic effect in n-n semiconductor heterojunction VO2/Nb:TiO2
【24h】

Temperature dependent switching behavior and photovoltaic effect in n-n semiconductor heterojunction VO2/Nb:TiO2

机译：N-N半导体异质结VO2 / NB：TiO2中的温度依赖性开关行为和光伏效果

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The little-known n-n semiconductor heterojunctions are potential alternatives to p-n semiconductor junctions and metal/semiconductor Schottky junctions because they can show rectification if the interface between two n-type semiconductors with different electron affinities is sufficiently abrupt. Herein, we report a temperature dependent switching behavior up to similar to 10(3) times in n-n semiconductor heterojunctions fabricated using an epitaxial growth of n-type VO2 on the n-type wide-bandgap semiconductor Nb:TiO2. The n-n heterojunction VO2/Nb:TiO2, which shows excellent rectifying behavior with a high conductivity at a large forward bias, can be turned into a metal/semiconductor Schottky rectifier above the metal-insulator transition temperature, which results in significant tunability of rectification ratio. Finally, we clearly demonstrated the existence of a notable photovoltaic effect in n-n heterojunctions VO2/Nb: TiO2.
机译：鲜为人知的N-N半导体异质结是P-N半导体结和金属/半导体肖特基结的潜在替代方案，因为如果具有不同电子亲和力的两个n型半导体之间的界面，它们可以显示整流。 在此，我们将温度依赖性切换行为报告为在使用N型宽带隙半导体NB：TiO 2上的N型VO2的外延生长制造的N-N半导体杂交型中的10（3）次的温度依赖性切换行为。 NN异质结VO2 / Nb：TiO2，其显示出在大正向偏压下具有高导电性的优异的整流行为，可以变成金属 - 绝缘体转变温度以上的金属/半导体肖特基整流器，这导致整流比的显着可调性 。 最后，我们清楚地证明了在N-N异质条件Vo2 / Nb：TiO2中的显着光伏作用的存在。

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