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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Flexibility of Ga-containing Type-II superlattice for long-wavelength infrared detection
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Flexibility of Ga-containing Type-II superlattice for long-wavelength infrared detection

机译：含GA的II型超晶格的灵活性，用于长波长红外检测

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In this paper, the flexibility of long-wavelength Type-II InAs/GaSb superlattice (Ga-containing SL) is explored and investigated from the growth to the device performance. First, several samples with different SL period composition and thickness are grown by molecular beam epitaxy. Nearly strain-compensated SLs on GaSb exhibiting an energy band gap between 105 to 169 meV at 77 K are obtained. Second, from electronic band structure calculation, material parameters are extracted and compared for the different grown SLs. Finally, two p-i-n device structures with different SL periods are grown and their electrical performance compared. Our investigation shows that an alternative SL design could potentially be used to improve the device performance of diffusion-limited devices for long-wavelength infrared detection.
机译：在本文中，探索了长波长型II IIA / GASB超晶格（含GA含SL）的灵活性，并从增长到设备性能。 首先，通过分子束外延生长具有不同SL周期组成和厚度的几个样品。 获得在77K下表现出105至169mEV之间的能带隙的气体的几乎应变补偿的SLS。 其次，从电子频带结构计算中，提取材料参数并比较不同生长的SLS。 最后，增长了两个具有不同SL周期的P-I-N器件结构及其电气性能。 我们的研究表明，替代的SL设计可能用于改善用于长波长红外检测的扩散限制装置的装置性能。

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