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PSII（プラズマソースイオン注入）法による硬質皮膜製作の現状と金型への応用

机译：PSII（等离子源离子植入）方法的硬膜生产现状及其在模具中的应用

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3次元イオン注入法であるPSII，PBII　 PHIII法は表面改質技術として研究されつつある。 この技術は基板バイアス電圧が数十kV～数百kVである。 このために高額の設備費，Ⅹ線対策等により産業化に不向きである。 　 我々の負パルスバイアスイオンビーム法は,注入効果に重点を置かず，あくまでもコーティングのためのサポート的効果（付き回り·密着力改善）として用いているために数kVである。 しかしながら,装置全体の基本システムを変えることなく,従来のDLC膜に比較し，多面に於いて向上が確認できた。 　 負パルスバイアスイオンビーム技術の成果によりァ　 密着力·付き回りの改善·硬度制御による内部応力緩和が行え，今後は超硬合金以外にもダイス鋼·ハイス鋼等の金型·刃物頬等に積極的に利用されていくであろう．また硬度等に代表されるようにDLCの物性をコントロール（電気抵抗率·熱伝導率等も）できることが確認されている。 今後は特に半導体デバイス材としての研究が始まると考えられる。
机译：PSII，PBII PHIIII是一种三维离子注入方法，作为表面改性技术研究。该技术是基板偏置电压，几十kV至几百kV。为此目的，它不适合通过昂贵的设备成本，X射线测量等工业化。我们的负脉冲偏置离子束方法是几kV，因为它不会专注于注射效果，并用作涂覆（或改善粘合性）的支撑效果。然而，与传统的DLC膜相比而不改变整个装置的基本系统，以多方面的方式确认改进。由于负脉冲偏置离子束技术的结果，通过改善和硬度控制来进行由于改善和硬度控制引起的内部应力浮雕，并且除了硬质合金外，模具和餐具脸颊如模具钢，高钢等它将被用来。还证实，可以控制DLC的物理性质（电阻率，导热性等），如硬度等所示。在未来，作为半导体器件材料的研究被认为是特别的。

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