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【24h】

特徴空間の再帰的分割に基づく半導体欠陥検査手法

机译:基于特征空间递归划分的半导体缺陷检测方法

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摘要

半導体ウェーハパターンを対象とした欠陥検査では,ウェーハ上に同一となるように形成された繰返しパターンの画像を比較し,不一致を欠陥として検出する.検査対象は薄膜多層パターンであり,比較画像間において,製造プロセスに起因する明るさの違いが生じている.我々は,正常部の不一致を許容するため,特徴空間の分割に基づく実物同士の比較手法を提案する.この手法は,回帰木と同様な手順を有する.ここでは,パターンやノイズの特性を表わす特徴を逐次選択し,特徴空間を分割することを繰り返して画像を層別に分解し,各領域において作成した散布図において統計的はずれ値を欠陥として検出することにより,正常パターンの明るさ変動に埋没した微小欠陥を認識可能とする.
机译:在半导体晶片图案的缺陷检查中,比较诸如晶片上的重复图案的图像进行比较,并检测不匹配作为缺陷。 检查对象是薄膜多层图案,并且在比较图像之间,发生了由制造过程引起的亮度的差异。 我们提出了一种基于特征空间划分的实际物质的比较方法,以便允许正常部件不匹配。 该方法具有与回归树相同的过程。这里,顺序地选择表示图案和噪声特征的特征,并重复划分特征空间,并且通过检测统计偏差来替换图像并在每个区域中创建图像值作为散点图中的缺陷,可以识别嵌入在正常模式的亮度变化中的微小缺陷。

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