インテリジェント派！電源＆パワエレ新設計法〈6〉第6回 10μmディープ大電流通路「トレンチ」の製造技術

山田順治

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【24h】

インテリジェント派！電源＆パワエレ新設計法〈6〉第6回 10μmディープ大電流通路「トレンチ」の製造技術

机译：聪明的电源和电力电子产品新设计方法<6> 6th10μm深电流制造技术的通道“沟槽”

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本稿では，実際にチップを作り込む工程を解説します．本連載の第4回（本誌2018年3月号）で解説した図2のIGBTの構造がどのように作られているかを紹介します．パワー半導体は，スリム化と高出力を両立するために，図3のように一般的な半導体よりも深さ方向に長い縦長の構造を採用しています．LSIは，単体のトランジスタの幅，深さ，奥行きの寸法比率がおおむね1：1：1です．パワー半導体は，深さの比率がほかの2つの5～10倍で縦長の構造をしています．パワー半導体の平面的な微細加工技術は，LSIとあまり変わりませh．一方，深さ方向の加工技術は大きく異なります．

机译：在本文中，我们将解释实际创建芯片的过程。我们介绍了图2中的IGBT结构在本系列第四（杂志杂志）中解释的IGBT的结构。功率半导体在深度方向上采用较长的垂直结构，而不是如图3所示的普通半导体。3平衡减肥和高输出。 LSI具有单个晶体管的宽度，深度和深度比例1：1：1。功率半导体具有垂直结构，其垂直结构具有深度比例的其他5-10倍。功率半导体平面微型制备技术与LSI没有如此不同。同时，深度方向的加工技术大大不同。

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来源
《トランジスタ技術》 |2018年第645期|共5页
作者
山田順治;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词

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