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pi-Bonding-dominated energy gaps in graphene oxide

机译:石墨烯氧化物中的PI-粘接主导的能量间隙

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摘要

The chemical bonding in graphene oxide with oxygen concentrations from 50% to 1% is investigated using first-principle calculations. The energy gaps are mainly determined by the competition of the orbital hybridizations in the C-C, O-O, and C-O bonds. They are very sensitive to changes in the oxygen concentration and distribution. Five types of p-bonding exist on moving from full to vanishing adsorption, namely complete termination, partial suppression, 1D bonding, deformed planar bonding, and the well-behaved type. They can account for the finite and gapless characteristics, corresponding to O-concentrations of >25% and <3%, respectively. The feature-rich chemical bonding dominates the band structures and density of states, leading to diverse electronic properties.
机译:利用第一原理计算研究了氧浓度的石墨烯氧化物中的化学键合。 能量差距主要由C-C,O-O和C-O键中的轨道杂交竞争决定。 它们对氧气浓度和分布的变化非常敏感。 存在五种类型的P键合,从充分移动到消失吸附,即完全终止,部分抑制,1D键合,变形平面粘合和良好行为类型。 它们可以分别考虑有限和无间隙特性,分别对应于> 25%和<3%的o浓度。 富有的特征化学键合主导了频段结构和各种密度,导致不同的电子特性。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2016年第29期|共6页
  • 作者单位

    Natl Cheng Kung Univ Dept Phys Tainan 701 Taiwan;

    Natl Cheng Kung Univ Dept Phys Tainan 701 Taiwan;

    Saratov NG Chernyshevskii State Univ Dept Phys Saratov 410012 Russia;

    Natl Cheng Kung Univ Dept Phys Tainan 701 Taiwan;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

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