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【24h】

Voltage pulse controlling multilevel data ferroelectric storage memory with a nonepitaxial ultrathin film

机译：电压脉冲控制多级数据铁电储存存储器，不含剖视超薄薄膜

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摘要

Multilevel data ferroelectric storage memory is a breakthrough for addressing low density in ferroelectric random access memories. However, the application of the multilevel data ferroelectric storage memory is limited by high cost and difficulty to prepare high quality epitaxial films. Herein, we create a multilevel data ferroelectric storage memory with a non-epitaxial ferroelectric ultrathin film to overcome these issues. Through controlling the polarization switching and oxygen vacancy migration with the voltage pulses, we demonstrated that voltage-controlled barrier heights yield a memristive behavior with resistance variations. Moreover, we achieved eight logic states, which are written and read easily. Our results suggest new opportunities for ferroelectrics as high density non-volatile memories.
机译：多级数据铁电存储存储器是一种突破，用于解决铁电随机通道存储器中的低密度。 然而，多级数据铁电储存存储器的应用受到高成本和难以制备高质量外延薄膜的限制。 这里，我们创建了一种具有非外延铁电超电膜的多级数据铁电存储存储器，以克服这些问题。 通过控制与电压脉冲的偏振切换和氧空位迁移，我们证明了电压控制的屏障高度产生具有电阻变化的椎间盘行为。 此外，我们达到了八个逻辑状态，这些逻辑状态很容易写入和阅读。 我们的成果为铁电器作为高密度非易失性记忆的新机遇。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2016年第83期|共6页
  • 作者

    Hou Pengfei; Wang Jinbin; Zhong Xiangli; Zhang Yuan; Zhang Xiong; Tan Congbing; Li Bo;

  • 作者单位

    Xiangtan Univ Sch Materials Sci &

    Engn Xiangtan 411105 Hunan Peoples R China;

    Xiangtan Univ Sch Materials Sci &

    Engn Xiangtan 411105 Hunan Peoples R China;

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    Engn Xiangtan 411105 Hunan Peoples R China;

    Xiangtan Univ Sch Materials Sci &

    Engn Xiangtan 411105 Hunan Peoples R China;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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