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Self-templating noncatalyzed synthesis of monolithic boron nitride nanowires

机译：自模塑料非催化合成整体氮化硼纳米线

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摘要

Achieving economic orientation-controlled growth of monolithic nanowires remains a challenge. We report a simple and low-cost, endotaxial, self-templating, noncatalyzed synthesis of monolithic boron nitride semiconductor nanowires. The method uses orientated control of the nanowires prepared directly on Si substrates through plasma-enhanced chemical vapor deposition without a catalyst. The growth direction of the synthetic monolithic nanowires is controlled as a function of substrate crystal orientation. We measured the vertical electrical properties of the nanowires. Our method provides an alternative strategy to control monolithic nanowire growth in substrates, and may allow for large-scale, low-cost nanowire device manufacture.
机译：实现整体纳米线的经济取向控制仍然是一个挑战。 我们报告了一种简单而低成本，内蚀，自动模板，非催化的整体氮化硼半导体纳米线合成。 该方法使用直接在Si基板上直接制备的纳米线的定向控制通过等离子体增强的化学气相沉积而没有催化剂。 合成整体纳米线的生长方向被控制为基材晶体取向的函数。 我们测量了纳米线的垂直电性能。 我们的方法提供了一种可选的策略，可控制衬底上的单片纳米线生长，并且可以允许大规模低成本的纳米线装置制造。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第92期|共7页
  • 作者

    Su Chao-Hua; Wang Ru-Zhi; Zhang Yue-Fei; Zhang Xing-Wang; Yan Hui;

  • 作者单位

    Beijing Univ Technol Coll Mat Sci &

    Engn Beijing 100124 Peoples R China;

    Beijing Univ Technol Coll Mat Sci &

    Engn Beijing 100124 Peoples R China;

    Beijing Univ Technol Inst Microstruct &

    Properties Adv Mat Beijing 100124 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China;

    Beijing Univ Technol Coll Mat Sci &

    Engn Beijing 100124 Peoples R China;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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