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【24h】

Surfactant-assisted synthesis of SnS nanowires grown on tin foils

机译：表面活性剂辅助在锡箔上生长的SnS纳米线的合成

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Crystalline SnS wires of micro- and nanometer scale have been synthesized over tin metal foils at room temperature using a simple surfactant-assisted approach. Scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, UV-Vis-near infrared (NIR) and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy were used to characterize the SnS nanowires. X-ray diffraction (XRD) analysis confirmed the formation of the pure orthorhombic phase of SnS. The optical band gap of the samples was found to be similar to 1.4 eV. From the investigation, the formation of nanowires could be explained in two steps: initial cracking/splitting of the nanoflakes was followed by a top-growth mechanism to form ultralong nanowires. Effects of various experimental parameters on the growth mechanism were investigated. Present studies have shown that this facile process also can be extended for the synthesis of other low dimensional structures.
机译：使用简单的表面活性剂辅助方法，已在室温下在锡金属箔上合成了微米级和纳米级的结晶SnS线。扫描电子显微镜，透射电子显微镜，UV-Vis-近红外（NIR）和傅立叶变换红外（FTIR）光谱用于表征SnS纳米线。 X射线衍射（XRD）分析证实了SnS的纯正交相的形成。发现样品的光学带隙类似于1.4eV。通过研究，可以用两个步骤来解释纳米线的形成：首先将纳米片裂解/分裂，然后通过顶部生长机理形成超长纳米线。研究了各种实验参数对生长机理的影响。目前的研究表明，这种简便的方法也可以扩展为其他低维结构的合成。

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